Samsung, 3GB LPDRR3 mobil sistem belleği üretimine başladı

Samsung'un yarı iletken endüstrisine yönelik operasyonlarından sorumlu System LSI bölümü, Nisan'da üretimine başladığı 4 Gb LPDDR3 DRAM çipleriyle oluşturduğu 3 GB'lik LPDDR3 sistem belleklerinin seri üretim aşamasına ulaştığını resmen ilan etti. 20 nm üretim süreci teknolojisiyle imal edilen piyasadaki ilk DRAM ünvanını elde eden ultra hızlı donanım, aynı zamanda 0.8 milimetrelik kalınlığıyla dünyanın en ince mobil DRAM'si.

4 Gb'lik üç çipin üst üste yerleştirilmesi ile 0.8 mm kalınlığında 1.5 GB'lik bir sistem belleği geliştiren Samsung, bu yapıdaki iki belleği veri kanallarıyla bir araya getirerek 3 GB hafızalı yeni nesil LPDDR3 DRAM'sini oluşturmuş. Üretim süreci teknolojisi sayesinde diğer LPDDR3 çözümlerinden %30 daha tasarruflu çalışacak küçük boyutlu yonga, bunnla birlikte entegre edildiği cihazın daha büyük bir pille donatılabilmesi de sağlayacak.

Güney Koreli üreticinin bellek satışları ve pazarlamadan sorumlu üst düzey başkan yardımcısı Young-Hyun Jun, 2013'ün ikinci yarısında piyasaya sürecekleri akıllı telefon ve tablet bilgisayarlarda yeni 3 GB LPDRR3 ürünlerine yer vereceklerini müjdeledi. Galaxy Note 3'te kullanılmasına kesin gözüyle bakılan yüksek kapasiteli belleğin 2014'te üst seviye mobil aygıtlarda standart haline geleceğini vurgulayan yönetici, 1 GB, 2 GB ve 3 GB'lik mobil DRAM seçenekleriyle halihazırda en geniş sistem belleği yelpazesine sahip üretici olduklarını da sözlerine ekledi.

Yazar: Bilal Akgündüz