Samsung, 10 nm FinFET üretim sürecine 2016'da geçiş yapacak

10 nm üretim sürecine geçiş planlarını 2017'ye erteleyen sektör lideri Intel, mobil pazar oyuncuları için pek de iç açıcı olmayan haberler paylaşmıştı. Ancak 14 nm FinFET 3D transistör tasarımını süratle endüstriye entegre etmeyi başaran Samsung hız keseceğe benzemiyor.

Bugün Güney Koreli teknoloji devinin üretimden sorumlu bir üst düzey yöneticisi, 10 nm sürecine geçişin 2016'da gerçekleşeceğini müjdeledi. Galaxy S6 ve S6 edge telefonlarıyla 14 nm Exynos 7420 yongasını piyasaya süren Seul merkezli üretici, 20 nm'de kalan en büyük rakibi TSMC karşısında ciddi üstünlük sağlamıştı. Öyle ki, Qualcomm ve Apple gibi büyük müşterilerin yeni nesil çipset siparişleri bir anda Samsung tesislerinin yolunu tutmuş oldu.

10 nm'de benzer bir yol haritası çizen Samsung ve TSMC'nin 2017'de bu teknolojiyi kullanan ilk yarı iletken çözümlerini tüketiciyle buluşturması bekleniyor. Küçülen transistörlerle birlikte enerji tasarrufu ve işlem performansını da artıracak olan çipset üreticileri, 10 nm altındaki dizaynlara doğru bu önemli adımla silikon sonrası malzemelere geçişe yaklaşmış olacak.

		Yazar: Bilal Akgündüz twitter.com/BilalAkgunduz