Samsung, 10 nm çip üretim teknolojisini detaylandırdı

Galaxy S6 ile 14 nanometrelik üretim süreci teknolojisiyle geliştirilen ilk çipini piyasaya sürecek olan Samsung, yarı iletken sektörüne damgasını vurmayı başardı. Yılların işlemci devi Intel ile yarışır hale gelen Samsung'un yarı iletken departmanı, sonraki üretim süreci için de ilk hamleyi yaparak başarılarına bir yenisini daha ekledi.

San Francisco'da organize edilen Uluslararası Katı Hal Devre Konferansı (ISSCC) kapsamında son teknolojilerini sergileyen Güney Koreli üretici, 10 nm FinFET transistör tasarımını baz alan ilk çiplerini gün yüzüne çıkardı. 10 nm'lik DRAM ve 3D NAND flaş belleklere dair çalışmalarını da aynı etkinlikte detaylandıran teknoloji devi, 10 nm'de sektöre öncülük edeceğini rakiplerine ilan etmiş oldu.

2014'te ilk örnekleri verilen 20 nm sürecini hızlıca geride bırakıp 14 nm'ye yükselen Samsung'un 10 nm için 2017'yi hedeflediği tahmin ediliyoruz. Zira Intel cephesinden gelen son açıklamalar, 10 nm'ye geçip yapan çiplerin silikon tabanlı son yarı iletken çözümler olacağına işaret ediyor. 10 nanometreden daha küçük tasarımlar, muhtemelen silikon yerine diğer malzemeler kullanılarak imal edilecek. Bu değişimin en büyük etkiyi giyilebilir elektronik piyasasında yapması bekleniyor.

		Yazar: Bilal Akgündüz twitter.com/BilalAkgunduz