Samsung, 10 nm yongaset üretimine başlayan ilk firma oldu

2015'te bir mobil çipsette FinFET teknolojisini kullanan ilk firma ünvanını elde ederek sektörü 14 nm'lik yarı iletkenlerle tanıştıran Samsung, bugün 10 nanometre süreciyle seri üretime başladığını ilan etti. Apple A serisi çiplerin üretimini TSMC'ye kaptırması sonrası sektörde beşinci basamağa gerileyeceği tahmin edilen teknoloji devi, rakiplerinden hızlı davranarak 10 nm'lik ilk yongada sistem çözümünü üretime soktu.

Birinci nesil 14 nm çözümlerine kıyasla performans artışı sunan 14LPP sürecine kıyasla %30 zar alanı tasarrufu, %27 performans artışı ve %40 enerji tasarrufu vaat eden birinci nesil 10 nm FinFET teknolojisi, 2017 başında dijital cihazlar vasıtasıyla tüketicilerle buluşacak.

10LPE ile geliştirilen ilk çipsetlerin Koreli üreticiye ait 2017 model amiral gemi projesi Galaxy S8'de kullanılacak olan yeni nesil Exynos çipset ve Qualcomm için üretilecek Snapdragon 830 olması bekleniyor. Samsung, performans artışı sağlayacak olan 10 nm sürecinin ikinci nesil sürümü 10LPP ile üretime 2017 ikinci yarısında başlamayı planlanlıyor.

10 nm sürecinde Samsung System LSI ciddi bir üstünlük sağlamış görünüyor. TSMC, bu süreci geçiş mahiyetinde sınırlı üretim alanlarına uygulamayı ve 2017 sonunda 7 nm teknolojisiyle üretime başlamayı amaçlıyor. Samsung'un FinFET teknolojilerini geliştirmesinde iş ortağı olan GlobalFoundries ise 10 nm teknolojisi geliştirmeyip 2018 için 7 nm'ye odaklanacağını açıklamıştı.